功率半导体静态测试仪IGBT测试设备

PMST系列功率器件静态参数测试系统是武汉普赛斯正向设计，精益打造的高精密电压/电流测试分析系统，是一致能够提供IV，CV、跨导等丰富功能的综合测试系统，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET. BJT、 IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试，并具有卓越的测量效率、一致性与可靠性。让任何工程师使用它都能变成行业专家。

针对用户不同测试场景的使用需求，普赛斯全新推出PMST功率器件静态参数测试系统、PMST-MP功率器件静态参数半自动化测试系统、PMST-AP功率器件静态参数全自动化测试系统三款功事器件静态参数测试系统。详询18140663476

产品特点

 高电压、大电流

 具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(最大可扩展至10kV)

 具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)

 高精度测量

  nA级漏电流, μΩ级导通电阻

  0.1%精度测量

  模块化配置

  可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元

  测试效率高

  内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元

  支持国标全指标的一键测试

  扩展性好

  支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具

测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等

普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣，欢迎随时联系我们！详询一八一四零六六三四七六；

     国产脉冲数字源表100nA-10A
     https://www.ns99.cn/chpin/show-19228.html
     微弱电流电压VI数字源表
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     国产多通道数字源表插卡式
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     VCSEL器件窄脉冲电流源
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     大功率激光器LIV测试仪器
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     对标2611国产数字源表
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