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英特尔预计其制造工艺节点技术将保持2年一飞跃的节奏，从2019年的10纳米工艺开始，到2021年转向7纳米EUV（极紫外光刻），然后在2023年采用5纳米，2025年3纳米，2027年2纳米，最终到2029年的1.4纳米。这是英特尔首次提到1.4纳米工艺，相当于12个硅原子所占的位置，因此也证实了英特尔的发展方向。
或许值得注意的是，在今年的IEDM大会上，有些演讲涉及的工艺尺寸为0.3纳米的技术，使用的是所谓的“2D自组装”材料。尽管不是第一次听说这样的工艺，但在硅芯片制造领域，却是首次有人如此提及。显然，英特尔(及其合作伙伴)需要克服的问题很多。
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技术迭代和反向移植
在两代工艺节点之间，英特尔将会引入+和++工艺迭代版本，以便从每个节点中提取尽可能多的优化性能。唯一的例外是10纳米工艺，它已经处于10+版本阶段，所以我们将在2020年和2021年分别看到10++和10+++版本。英特尔相信，他们可以每年都做到这一点，但也要有重叠的团队，以确保一个完整的工艺节点可以与另一个重叠。
